研究負(fù)責(zé)人Clara Rittmann表示："關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)是EpiWafers無(wú)需預(yù)吸雜步驟即可直接用于電池制造，當(dāng)電池設(shè)計(jì)包含原位吸雜工藝時(shí)，n型和p型層能有效發(fā)揮吸雜作用。"團(tuán)隊(duì)測(cè)試顯示，1.3 Ωcm外延晶圓的載流子壽命從初始100μs提升至1ms以上，性能參數(shù)與浮區(qū)晶圓相當(dāng)。

該研究采用德國(guó)NexWafe公司的外延生長(zhǎng)硅晶圓，結(jié)合TOPCon2層原位吸雜技術(shù)，預(yù)計(jì)可制造轉(zhuǎn)換效率超30%的鈣鈦礦硅疊層太陽(yáng)能電池。Rittmann強(qiáng)調(diào)，這一概念驗(yàn)證與工業(yè)化實(shí)現(xiàn)的結(jié)合"前景廣闊"。目前弗勞恩霍夫ISE高效太陽(yáng)能電池中心正基于該研究進(jìn)行底部太陽(yáng)能電池的制造開(kāi)發(fā)。